Name: 碳化硅场效应管
Brand: 安邦半导体（国际）有限公司

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Product Name	Package	AEC-Q101 Qualified	Type	PD (W)	V_{DS_Max} (V)	I_{D@TC=25℃_Max} (A)	V_{GS(th)_Max} (V)	R_{DS(ON)_Max} @ VGS = 20V(TC=25℃) (mΩ)	Q_{g_Typ} (nC)
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ACM120R165TH DataSheet	TO-263-7L	N	SiC MOSFET	112	1200	21	3(TYP)	165mΩ@18V(TYP)	41
ACM120H100TH DataSheet	TO-263-7L	N	SiC MOSFET	242	1200	34	4	73mΩ@20V(TYP)	80
ACM120R036TH DataSheet	TO-263-7L	N	SiC MOSFET	250	1200	61	2.9(TYP)	36mΩ@15V(TYP)	87
ACM065R095TL DataSheet	TOLL	N	SiC MOSFET	185	650	43	3(TYP)	95mΩ@18V(TYP)	34
ACM065R045TL DataSheet	TOLL	N	SiC MOSFET	227	650	72	2.7(TYP)	56@18V	80
ACM065R036SM DataSheet	T2PAK	N	SiC MOSFET	214	650	70	2.7(TYP)	36mΩ@18V(TYP)	80
ACM075R020SM DataSheet	T2PAK	N	SiC MOSFET	288	750	98	4	20mΩ@18V(TYP)	147
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ACM120R024SM DataSheet	T2PAK	N	SiC MOSFET	272	1200	70	4	24mΩ@18V(TYP)	152
ACM120R016SM DataSheet	T2PAK	N	SiC MOSFET	288	1200	104	2.9(TYP)	16mΩ@18V(TYP)	247
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ACM120R042TD DataSheet	TO-247-3L	N	SiC MOSFET	288	1200	66	2.7(TYP)	60@15V	65
ACM120B028TD DataSheet	TO-247-3L	N	SiC MOSFET	341	1200	83	2.6(TYP)	38@18V	3708
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